1.  可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，其電路原里圖如下圖所示。從圖中可知，二極管D1—D4

  組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后，220V交流

  電通過負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后

  作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時，整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到T1管的峰值

  電壓Up時，T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈

  沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極， 使可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛

  振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過零點(diǎn)時，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)

  整負(fù)載RL上的功率了。

  2：可控硅調(diào)壓器選擇

  調(diào)功調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R

  1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、最大整流電

  流大于0.3A的硅整流二極管如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的

  可控硅整流器件，如國產(chǎn)3CT系例。